製造商產品編號:
BUZ31L H
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BUZ31L H-DG
描述:
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
庫存:
12799283
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BUZ31L H 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
SIPMOS®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 7A, 5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 1mA
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
95W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
BUZ31LH
BUZ31L H-DG
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
PHP20NQ20T,127
製造商
NXP Semiconductors
可用數量
8796
部件號碼
PHP20NQ20T,127-DG
單位價格
1.02
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF200B211
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4746
部件號碼
IRF200B211-DG
單位價格
0.51
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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