BUZ31L H
製造商產品編號:

BUZ31L H

Product Overview

製造商:

Infineon Technologies

零件編號:

BUZ31L H-DG

描述:

MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述:
N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

庫存:

12799283
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

BUZ31L H 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
SIPMOS®
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
200 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
95W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3
包裝 / 外殼
TO-220-3

資料表及文件

HTML 資料表
資料表

額外資訊

標準套餐
500
其他名稱
BUZ31LH
BUZ31L H-DG

環境及出口分類

濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
PHP20NQ20T,127
製造商
NXP Semiconductors
可用數量
8796
部件號碼
PHP20NQ20T,127-DG
單位價格
1.02
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRF200B211
製造商
Infineon Technologies
可用數量
4746
部件號碼
IRF200B211-DG
單位價格
0.51
替代類型
MFR Recommended
部件編號
STP19NF20
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
STP19NF20-DG
單位價格
0.63
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IRL640A
製造商
onsemi
可用數量
97975
部件號碼
IRL640A-DG
單位價格
0.62
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
infineon-technologies

BSP320SL6433HTMA1

MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4

infineon-technologies

BSC205N10LS G

MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON

infineon-technologies

IPA086N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP

infineon-technologies

BSC035N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON